富士电机株式会社横山浩大获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010572103.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由横山浩大;安喰彻;三塚要;白川彻设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置。抑制半导体装置的因温度变化引起的特性变化。所述半导体装置具备：半导体基板，其设置有第1导电型的漂移区；晶体管部，其具有与半导体基板的下表面接触的第2导电型的集电区；二极管部，其具有与半导体基板的下表面接触的第1导电型的阴极区，且沿着在半导体基板的上表面的排列方向与晶体管部交替地配置，晶体管部中的、从靠近半导体基板在排列方向上的中央的晶体管部起依次选择的2个以上的晶体管部在排列方向上的宽度比其他任一晶体管部在排列方向上的宽度大。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板，其设置有第1导电型的漂移区； 晶体管部，其具有与所述半导体基板的下表面接触的第2导电型的集电区；以及 二极管部，其具有与所述半导体基板的下表面接触的第1导电型的阴极区，且沿着在所述半导体基板的上表面的排列方向与所述晶体管部交替地配置， 所述晶体管部中的、从靠近所述半导体基板在所述排列方向上的中央的晶体管部起依次选择的2个以上的所述晶体管部在所述排列方向上的宽度比其他任一所述晶体管部在所述排列方向上的宽度大， 所述晶体管部中的、从靠近所述半导体基板在所述排列方向上的中央的晶体管部起依次选择的2个以上的第1晶体管部在所述排列方向上分别具有第1宽度， 所述晶体管部中的、与所述第1晶体管部相比远离所述中央而配置的2个以上的第2晶体管部在所述排列方向上分别具有比所述第1宽度小的第2宽度， 所述第1宽度大于700μm且小于1100μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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