株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112352318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980043643.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;马场晴之;奥野直树;小松良宽;大野敏和设计研发完成，并于2019-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物、第五氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三导电体。第五氧化物与第二氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化物的侧面及第四氧化物的侧面接触。第二氧化物包含In、元素M及Zn。第一氧化物及第五氧化物各自包含第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化物及第四氧化物各自包含元素M。第三氧化物及第四氧化物具有其元素M的浓度比第二氧化物高的区域。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一绝缘体； 所述第一绝缘体上的第一氧化物； 所述第一氧化物上的第二氧化物； 所述第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物； 所述第三氧化物上的第一导电体； 所述第四氧化物上的第二导电体； 所述第二氧化物上的第五氧化物； 所述第五氧化物上的第二绝缘体；以及 所述第二绝缘体上的第三导电体， 其中，所述第五氧化物与所述第二氧化物的顶面、所述第一导电体的侧面、所述第二导电体的侧面、所述第三氧化物的侧面及所述第四氧化物的侧面接触， 所述第二氧化物包含In、元素M以及Zn， 所述元素M是Al、Ga、Y或Sn， 所述第一氧化物及所述第五氧化物各自包含所述第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个， 所述第三氧化物及所述第四氧化物各自包含元素M， 并且，所述第三氧化物及所述第四氧化物具有其所述元素M的浓度比所述第二氧化物高的区域。
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