买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利图像传感器及用于制造其像素单元的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010946185.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及用于制造其像素单元的方法是由陈刚;王勤设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及用于制造其像素单元的方法在说明书摘要公布了：本申请案针对背侧照明式传感器像素结构。在一个实施例中，一种图像传感器包含多个光电二极管，其布置为像素阵列的行及列，安置在半导体衬底中。所述像素阵列的个别光电二极管经配置以通过所述半导体衬底的背侧接收传入光。所述个别光电二极管具有扩散区域，其形成于外延区域中，及多个存储节点SG，其安置在所述半导体衬底的前侧上并形成于所述外延区域中。具有多个不透明隔离元件的不透明隔离层安置为接近于所述半导体衬底的所述前侧且接近于所述多个光电二极管的所述扩散区域。所述不透明隔离元件经配置以阻挡传入光从所述半导体衬底的所述背侧朝向所述存储节点的路径。

本发明授权图像传感器及用于制造其像素单元的方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其包括： 多个光电二极管，其布置为像素阵列的行及列，安置在半导体衬底中，其中所述像素阵列的个别光电二极管经配置以通过所述半导体衬底的背侧接收传入光，其中所述半导体衬底的前侧与所述背侧相对，且其中所述个别光电二极管包括形成于外延区域中的扩散区域； 多个存储节点SG，其安置在所述半导体衬底的所述前侧上并形成于所述外延区域中； 多个全局快门门GS，其安置在所述半导体衬底的所述前侧上； 多个转移门TX，其安置为接近于所述半导体衬底的所述前侧，所述多个转移门经配置以将所述多个光电二极管耦合到所述多个存储节点，所述转移门中的每一者经配置以将由每一经耦合光电二极管产生的图像电荷操作地转移到每一相应存储节点； 不透明隔离层，其具有安置为接近于所述半导体衬底的所述前侧且接近于所述多个光电二极管的所述扩散区域的多个不透明隔离元件；及 多个竖直电极，其连接到所述转移门TX和所述全局快门门GS，所述竖直电极与个别不透明隔离元件横向地间隔开，且所述竖直电极延伸进入所述前侧处的所述外延区域达一深度以与相应扩散区域横向地间隔开； 其中个别不透明隔离元件竖直地堆叠在相应扩散区域与存储节点SG之间，且横向地配置在所述竖直电极之间，且其中所述多个不透明隔离元件经配置以阻挡传入光的至少一部分从所述半导体衬底的所述背侧朝向所述多个存储节点SG的路径。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人豪威科技股份有限公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。