三星电子株式会社;蔚山科学技术院申铉振获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社;蔚山科学技术院申请的专利半导体存储器件和包括其的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011177930.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件和包括其的设备是由申铉振;李珉贤;李昌锡;卞卿溵;申铉石;洪锡模设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件和包括其的设备在说明书摘要公布了：提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。
本发明授权半导体存储器件和包括其的设备在权利要求书中公布了：1.半导体存储器件，包括： 半导体基板； 在所述半导体基板上在第一方向上延伸的字线； 跨越所述字线延伸的位线结构，所述位线结构在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸； 在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及 在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物，所述间隔物包括氮化硼层， 其中所述间隔物接触所述位线结构的侧壁且延伸所述位线结构的侧壁的长度，和其中所述间隔物沿所述位线结构的上表面在所述位线结构和所述接触垫结构的至少部分之间且与其直接接触地延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社;蔚山科学技术院，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励