东京毅力科创株式会社拉尔斯·利布曼获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利用于3D逻辑和存储器的自对准接触件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113841231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080037122.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于3D逻辑和存储器的自对准接触件是由拉尔斯·利布曼;杰弗里·史密斯;安东·德维利耶;坎达巴拉·塔皮利设计研发完成，并于2020-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于3D逻辑和存储器的自对准接触件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括电介质层和局部互连，这些电介质层和局部互连交替地堆叠在衬底上方、并且沿着该衬底的顶表面侧向延伸。这些电介质层的侧壁和这些局部互连的侧壁具有阶梯构型。这些局部互连通过电介质层彼此间隔开，并且具有未被这些电介质层覆盖的部分。该半导体器件还包括选择性地位于这些局部互连的露出的部分上方的导电层，其中，这些导电层的侧壁和这些局部互连的侧壁是共面的。该半导体器件进一步包括从这些电介质层延伸的隔离盖。这些隔离盖沿着这些导电层的侧壁和这些局部互连的侧壁定位，以便将这些导电层彼此隔开。
本发明授权用于3D逻辑和存储器的自对准接触件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 电介质层，所述电介质层堆叠在衬底上方并沿着所述衬底的顶表面侧向延伸，所述电介质层的侧壁具有阶梯构型； 局部互连，所述局部互连交替地堆叠在所述电介质层上方并沿着所述衬底的顶表面侧向延伸，所述局部互连的侧壁具有阶梯构型，其中，所述局部互连中的每一个位于对应电介质层上方并沿着该对应电介质层的顶表面延伸，使得所述局部互连通过所述电介质层彼此间隔开、并且具有未被所述电介质层覆盖的部分； 导电层，所述导电层选择性地位于所述局部互连的露出的部分上并且进一步从所述局部互连的露出的部分竖直延伸，所述导电层的侧壁和所述局部互连的侧壁是共面的；以及 从所述电介质层延伸的隔离盖，所述隔离盖进一步沿着所述导电层和所述局部互连的侧壁定位，以便将所述导电层彼此隔开，其中， 所述电介质层中的每一个电介质层的侧壁突出超过来自所述局部互连的上覆局部互连的侧壁，以便在相应的电介质层的侧壁与上覆局部互连的侧壁之间形成间隙，来自所述隔离盖的对应隔离盖位于所述间隙中。
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