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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111183321.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置是由许星;边若梅;王建;张勇;秦相磊;金红贵;唐亮珍;张武霖;武志恺;张冬华;曲峰;尹晓峰;孙平原设计研发完成，并于2021-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置，该双栅驱动设备的显示结构包括：依次设置的基板、薄膜晶体管、绝缘层和钝化层形成的多个像素区域；栅线，栅线用于传输显示信号，两条栅线贯穿每个像素区域；每个像素区域内设置的两个薄膜晶体管分别设置在两条栅线形成的第一空间两侧。本公开通过将每个像素区域内的两个膜晶体管分别设置在两条栅线形成的第一空间两侧，以解决传统技术中显示设备的显示屏闪烁的风险以及串扰的概率均较高的问题，也即增大了显示结构存储电容，降低了显示屏闪烁的风险以及串扰的概率。

本发明授权一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种双栅驱动设备的显示结构，其特征在于，包括： 基板、薄膜晶体管以及栅线；所述薄膜晶体管包括栅极，源极和漏极，所述栅极与所述栅线连接； 所述栅线用于传输显示信号，两条所述栅线贯穿显示结构中包括的每个像素区域； Data线和Vcom线，所述Data线和所述Vcom线同层设计，所述Data线与所述源极连接，所述漏极和所述Vcom线之间设置像素电极；所述像素电极和所述Data线同层设置； 每个所述像素区域内设置的两个所述薄膜晶体管分别设置在两条所述栅线形成的第一空间两侧，两个所述薄膜晶体管沿金属线呈180°旋转对称，两条所述栅线在同一水平面上平行设置； 绝缘层和钝化层； 设置在所述绝缘层与所述钝化层之间的所述像素电极； 设置在所述钝化层上的公共电极； 其中，所述公共电极的中心线在所述基板上的投影与所述像素电极的中心线在所述基板上的投影重合； 所述Vcom线和所述Data线相邻设置，所述Vcom线包括加宽部，与所述加宽部两端连接的Vcom线交错设置，在垂直于所述基板方向，所述加宽部与相邻两行像素电极之间的两条所述栅线有交叠。

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