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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及其制造方法和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080001128.3，技术领域涉及：H10K59/122；该发明授权显示基板及其制造方法和显示装置是由张鑫;和玉鹏;周洋;王威;姜晓峰;王予;杨路路;张祎杨;杨光辉;卢嘉铭;郝瑞;马群;刘普;朱留东;黄强;何滨;段棣南;白海勇;李昕;魏瑞启设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及其制造方法和显示装置在说明书摘要公布了：提供一种显示基板及其制造方法和显示装置。所述显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板至少包括像素区域和开孔区域；设置在所述衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素位于所述像素区域；开孔，所述开孔位于所述开孔区域；第一阻挡坝，所述第一阻挡坝设置在所述子像素与所述开孔之间，并且至少部分包围所述开孔；有机材料层，所述有机材料层在所述衬底基板上的正投影落入所述像素区域，所述有机材料层包括至少一个膜层；和填充结构，所述填充结构的至少一部分设置在所述开孔与所述第一阻挡坝之间，其中，所述填充结构和所述有机材料层的至少一个膜层位于相同的层，并且所述填充结构和所述有机材料层的至少一个膜层包括的材料相同。

本发明授权显示基板及其制造方法和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括： 衬底基板，所述衬底基板至少包括像素区域和开孔区域； 设置在所述衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素位于所述像素区域； 开孔，所述开孔位于所述开孔区域； 第一阻挡坝，所述第一阻挡坝设置在所述子像素与所述开孔之间，并且至少部分包围所述开孔； 第二阻挡坝，所述第二阻挡坝设置在所述第一阻挡坝远离所述开孔的一侧； 有机材料层，所述有机材料层在所述衬底基板上的正投影落入所述像素区域，所述有机材料层包括至少一个膜层；和 填充结构，所述填充结构的至少一部分设置在所述开孔与所述第一阻挡坝之间， 其中，所述填充结构和所述有机材料层的至少一个膜层位于相同的层，并且所述填充结构和所述有机材料层的至少一个膜层包括的材料相同； 所述第一阻挡坝在所述衬底基板上的正投影的宽度小于所述第二阻挡坝在所述衬底基板上的正投影的宽度； 所述显示基板还包括设置在所述有机材料层靠近所述衬底基板一侧的功能膜层，所述功能膜层包括： 设置在所述衬底基板上的第一导电层； 设置在所述第一导电层远离所述衬底基板一侧的栅绝缘层； 设置在所述栅绝缘层远离所述衬底基板一侧的第二导电层； 设置在所述第二导电层远离所述衬底基板一侧的层间介电层； 设置在所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的第三导电层；和 设置在所述第三导电层远离所述衬底基板一侧的钝化层； 所述第一阻挡坝包括位于所述第一导电层、所述栅绝缘层、所述第二导电层、所述层间介电层、所述第三导电层和所述钝化层中每一个的一部分构成的叠层结构；以及 所述钝化层包括位于所述第一阻挡坝的第一部分，所述第三导电层包括位于所述第一阻挡坝的第一部分，所述钝化层的第一部分在所述衬底基板上的正投影落入所述第三导电层的第一部分在所述衬底基板上的正投影内。

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