浙江大学杭州国际科创中心盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111534725.5，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法是由盛况;程浩远;王珩宇;任娜设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域中的一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，包括在对准标记区域形成一定厚度的对准标记缺陷层、在外延回填及抛光工艺后通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记，避免了外延回填及抛光工艺对对准标记造成的损伤，解决了基于外延回填工艺的超级结器件多层套刻的对准问题。相较于引入保护物质的对准标记保护方式，该方法有着不污染外延生长腔室，外延回填后表面平坦度不受影响的优势。
本发明授权一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法在权利要求书中公布了：1.一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，其特征在于：形成超级结沟槽后，在晶圆表面生长并形成对准标记注入掩模，通过Ar离子注入形成对准标记缺陷层，对超级结沟槽进行外延回填及抛光工艺后，通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记沟槽；其中，所述对准标记沟槽的位置在外延回填工艺前通过形成对准标记缺陷层进行定位；所述外延回填过程中无对准标记沟槽或介质材料存在；所述对准标记沟槽在外延回填工艺后通过腐蚀对准标记缺陷层形成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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