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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111642816.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;黄海猛;虞国新设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区、基体区和源区依次设置在衬底区顶部，漏极位于衬底区底部；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括P型源区和N型源区；P型源区为横截面呈三角形的三角型源区，三角型源区的顶角与绝缘层相接；N型源区包括第一N型源区和第二N型源区；第一N型源区和第二N型源区分设在顶角的两边，并分别与绝缘层相接。本申请提供的方案，能够有效地抑制寄生三极管开启，有效地提高雪崩耐量。

本发明授权具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管，其特征在于，包括：衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、屏蔽栅5、控制栅6、绝缘层7、源极、漏极8以及金属栅极；所述源极设置在所述源区4顶部，所述金属栅极设置在所述控制栅6顶部；所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4依次设置在所述衬底区1顶部，所述漏极8位于所述衬底区1底部； 所述控制栅6和所述屏蔽栅5由上至下依次设置在所述漂移区2的侧方，并通过所述绝缘层7分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4相接； 所述源区4包括P型源区41和N型源区42；所述P型源区41为横截面呈三角形的三角型源区，所述三角型源区的顶角与所述绝缘层7相接； 所述N型源区42包括第一N型源区和第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区分设在所述顶角的两边，并分别与所述绝缘层7相接； 所述屏蔽栅沟槽型晶体管还包括：P型超结柱9； 所述P型超结柱9顶部与所述P型源区41底部相贴合；所述P型超结柱9的侧面分别与所述基体区3和所述漂移区2相接，所述P型超结柱9与所述P型源区41形成三棱柱结构；所述P型超结柱在所述漂移区中形成一个P型补偿区，用于抑制漂移区在高温过程中的横向杂质扩散。

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