南亚科技股份有限公司施信益获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067686.2，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权半导体元件及其制备方法是由施信益设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体晶粒，具有一第一导电层；一第一蚀刻终止层，位于该第一导电层上；一第二半导体晶粒，具有一第二导电层，该第二导电层位于该第一蚀刻终止层上；一第二蚀刻终止层，位于该第二导电层上；一第一贯穿基底通孔，沿着该第二半导体晶粒与该第一蚀刻终止层设置，延伸到该第一半导体晶粒，并位于该第一导电层上；以及一第二贯穿基底通孔，延伸到该第二半导体晶粒，沿着该第二蚀刻终止层设置，并位于该第二导电层上。该第二蚀刻终止层的一厚度大于该第一蚀刻终止层的一厚度。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一第一半导体晶粒，包含一第一导电层； 一第一蚀刻终止层，位于该第一导电层上； 一第二半导体晶粒，包含一第二导电层，该第二导电层位于该第一蚀刻终止层上； 一第二蚀刻终止层，位于该第二导电层上： 一第一贯穿基底通孔，沿着该第二半导体晶粒与该第一蚀刻终止层设置，延伸到该第一半导体晶粒，并位于该第一导电层上；以及 一第二贯穿基底通孔，延伸到该第二半导体晶粒，沿着该第二蚀刻终止层设置，并位于该第二导电层上； 多个绝缘层，位于该第一贯穿基底通孔及该第二贯穿基底通孔的各侧壁上； 多个调整层，覆盖该多个绝缘层的各上部； 其中，该第二蚀刻终止层的一厚度大于该第一蚀刻终止层的一厚度，并且该第一贯穿基底通孔及该第二贯穿基底通孔的尺寸在该多个调整层处变窄。
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