买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种适用于GaN驱动芯片的自适应自举充电电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114552968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111603500.0，技术领域涉及：H02M1/38；该发明授权一种适用于GaN驱动芯片的自适应自举充电电路是由常红;黄少卿;顾明;耿镐;于文涛;席晓丽;肖培磊;宣志斌;罗永波设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于GaN驱动芯片的自适应自举充电电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种适用于GaN驱动芯片的自适应自举充电电路，属于集成电路领域。通过对开关节点SW电压进行过零检测，判定是否开启或关断自举充电路径，将自举电容上的电压钳位在固定电压，防止自举电压过充，保证自举电压在GaN功率器件的安全工作电压范围内，解决了传统驱动芯片驱动GaN功率器件因自举电压过大损坏GaN功率器件的问题。该方案可以集成到转换器芯片内，降低了外围电路的复杂程度，提高了系统性能，节省了成本。

本发明授权一种适用于GaN驱动芯片的自适应自举充电电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于GaN驱动芯片的自适应自举充电电路，其特征在于，包括过零检测模块、低压控制模块、自举二极管DBOOT和自举电容CBOOT； 所述过零检测模块对开关节点SW进行过零检测，所述低压控制模块控制自举充电回路的开启和关断，防止自举电压过充，损坏GaN功率器件；其中开关节点SW为上侧功率管与下侧功率管连接的节点； 所述过零检测模块包括第一偏置电流IBIAS1、第二偏置电流IBIAS2、第一二极管D1、第二二极管D2、电阻R1和电压比较器COMP， 所述第一偏置电流IBIAS1一端接VDD，另一端接节点V1；所述电阻R1一端接节点V1，另一端接第一二极管D1的阳极；第一二极管D1的阴极接开关节点SW，其中节点V1的电压由第一偏置电流IBIAS1、电阻R1、第一二极管D1的正向导通电压、开关节点SW的电压共同决定； 所述第二偏置电流IBIAS2一端接VDD，另一端接节点V2；所述第二二极管D2的阳极接节点V2，阴极接地，其中节点V2的电压由第二二极管D2的正向导通电压决定； 所述电压比较器COMP的正输入端接节点V2，负输入端接节点V1，输出端接入所述低压控制模块； 所述低压控制模块包括驱动buffer、PMOS开关管MP1，所述驱动buffer的输入端接所述电压比较器COMP的输出端，所述驱动buffer的输出端接PMOS开关管MP1的栅端；所述PMOS开关管MP1的漏端接VDD，源端接所述自举二极管DBOOT的阳极，二极管DBOOT的阴极接自举电容CBOOT的一端，自举电容CBOOT的另一端接开关节点SW，根据PMOS开关管MP1的栅端信号来开启或关断自举电容的充电回路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。