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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210102628.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：第一沟槽区、第二沟槽区以及主体区；第一沟槽区和第二沟槽区分别设置在主体区两侧；第一沟槽区包括：金属栅极、第一绝缘层以及纵向设置的控制栅和屏蔽栅；控制栅和屏蔽栅通过第一绝缘层与主体区贴合；主体区包括：漏极、衬底区、漂移区、基体区、N型源区、P型源区以及源极；第二沟槽区包括：由下至上依次设置的浮空金属电极和对称P型区，以及第二绝缘层；浮空金属电极和对称P型区通过第二绝缘层与主体区贴合；屏蔽栅的掺杂类型为P型掺杂。本申请提供的方案，能够有效提高晶体管的击穿电压。

本发明授权双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：第一沟槽区、第二沟槽区以及主体区；所述第一沟槽区和所述第二沟槽区分别设置在所述主体区两侧； 所述第一沟槽区包括：金属栅极、第一绝缘层7以及纵向设置的控制栅6和屏蔽栅5；所述控制栅6和所述屏蔽栅5通过所述第一绝缘层7相互隔开，且所述控制栅6和所述屏蔽栅5均通过所述第一绝缘层7与所述主体区贴合；以所述屏蔽栅5指向所述控制栅6的方向为上方，所述金属栅极设置在所述控制栅上方； 所述主体区包括：由下至上依次设置的漏极12、衬底区1、漂移区2、基体区3、N型源区4以及源极11；所述主体区还包括：P型源区14；所述P型源区14设置在所述第二沟槽区和所述主体区之间，贴合于所述N型源区4的下方，并分别与所述源极11和所述基体区3相接；所述第二沟槽区包括：由下至上依次设置的浮空金属电极9和对称P型区8，以及第二绝缘层10；所述浮空金属电极9和所述对称P型区8的侧面通过所述第二绝缘层10与所述主体区贴合，浮空金属电极9的底面与主体区直接接触； 所述屏蔽栅5的掺杂类型为P型掺杂，使得所述第一沟槽区和所述第二沟槽区形成双P型沟槽。

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