南亚科技股份有限公司陈德荫获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有可编程单元的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110980476.6，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权具有可编程单元的半导体元件及其制备方法是由陈德荫设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有可编程单元的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括：一基板；一第一导电层，位于该基板上方；一底部导电层，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层；一可编程绝缘层，位于该底部导电层上；一顶部导电层，位于该可编程绝缘层上；以及一重分布结构，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层。该底部导电层、该可编程绝缘层、和该顶部导电层一起构成一可编程单元。
本发明授权具有可编程单元的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基板； 一第一导电层，位于该基板上方； 一底部导电层，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层； 一可编程绝缘层，位于该底部导电层上； 一顶部导电层，位于该可编程绝缘层上； 一重分布结构，位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层； 其中该底部导电层、该可编程绝缘层、和该顶部导电层一起构成一可编程单元， 其中该重分布结构的一垂直水平高于该可编程单元的一垂直水平， 其中该重分布结构包括一重分布导电层和一热释放层，该重分布导电层位于该第一导电层上方并电性耦合至该第一导电层，且该热释放层位于该重分布导电层上， 该半导体元件还包括一第二导电层，该第二导电层设置在该第一导电层和该重分布结构之间，该重分布结构通过该第二导电层电性耦合至该第一导电层。
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