中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司丁彦荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011395571.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法是由丁彦荣;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法，属于半导体技术领域，解决了现有存储单元区多晶硅光刻套刻偏差与多晶硅层突出而带来的有源区刻蚀损伤问题。方法包括：提供半导体衬底；在存储单元区和部分过渡区中形成隔离层；顺序形成多晶硅层和停止层；将位于存储单元区和至少部分过渡区中的停止层去除；通过CMP去除多晶硅层的位于存储单元区的全部和过渡区中的至少部分并去除停止层的剩余部分；顺序形成金属材料层和绝缘材料层；以及通过刻蚀工艺去除过渡区中的位于半导体衬底上方的多层。通过剥离停止层消除过渡区和外围电路区中的多晶硅层高度差，以避免因光刻套刻偏差与多晶硅层突出导致的有源区刻蚀损伤问题。
本发明授权一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括存储单元区、外围电路区以及介于所述存储单元区和所述外围电路区之间的过渡区； 在所述存储单元区和部分所述过渡区中形成隔离层； 在所述存储单元区、所述过渡区和所述外围电路区中顺序形成多晶硅层和停止层； 将位于所述存储单元区和至少部分所述过渡区中的所述停止层去除； 通过CMP工艺去除所述多晶硅层的位于所述存储单元区的全部和所述过渡区中的至少部分，并去除所述停止层的剩余部分； 在所述存储单元区、所述过渡区和所述外围电路区中顺序形成金属材料层和绝缘材料层；以及 通过刻蚀工艺去除所述过渡区中的位于所述半导体衬底上方的多层。
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