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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210253237.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长n型氮化物层；在n型氮化物层上生长氮化物发光层；在氮化物发光层上生长p型氮化物层；在p型氮化物层上生长第一接触功能层，在第一接触功能层上生长第二接触功能层；刻蚀掉第二接触功能层至n型氮化物层上表面之间的部分外延层；刻蚀掉第二接触功能层的部分区域，暴露出第一接触功能层的部分区域；在未被刻蚀的第二接触功能层及暴露出的第一接触功能层上设置透明导电层；分别在透明导电层和n型氮化物层上设置p型电极和n型电极。本发明能够克服现有p型GaN基半导体材料欧姆接触实现困难的问题，提高氮化物发光二极管芯片光电性能。

本发明授权低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括： S1：提供一衬底，在所述衬底上生长缓冲层； S2：在所述缓冲层上生长n型氮化物层； S3：在所述n型氮化物层上生长氮化物发光层； S4：在所述氮化物发光层上生长p型氮化物层； S5：在所述p型氮化物层上生长表面处理功能层，其中所述表面处理功能层包括第一接触功能层和第二接触功能层，所述第二接触功能层生长于所述第一接触功能层上，所述第一接触功能层生长于所述p型氮化物层上，所述第一接触功能层为金属氧化物层，所述金属氧化物层所选金属为储氢单质和或储氢合金；所述第二接触功能层绝缘； S6:对S1～S5形成的外延结构进行退火和刻蚀，刻蚀掉所述第二接触功能层至n型氮化物层上表面之间的部分外延层形成mesa结构； S7：对S6形成的mesa结构进行刻蚀，刻蚀掉第二接触功能层的部分区域，暴露出第一接触功能层的部分区域； S8：在经过S7刻蚀处理后的未被刻蚀的第二接触功能层及暴露出的第一接触功能层上设置透明导电层； S9：分别在透明导电层和n型氮化物层上设置p型电极和n型电极； 其中，所述p型电极设置于所述第二接触功能层上的透明导电层之上。

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