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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210454389.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由林志伟;崔恒平;李艳;罗桂兰;尤翠萍设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；且，所述第一型扩展电极与其余所述第二型扩展电极交替分配于所述中间扩展电极的两侧。从而，当电流经所述第二电极即P电极流入后优先通过所述中间扩展电极，快速实现电子与空穴的辐射复合发光；同时，通过所述第二电极的中间扩展电极两侧交替且均匀配置所述第一型扩展电极与第二型扩展电极，能够缓和电流在所述中间扩展电极集中的趋势，使电流在发光台面均匀地扩散。

本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层； 第一电极，其层叠于所述凹槽的裸露部； 第二电极，其层叠于所述台面的表面； 俯视观察下，所述第一电极具有与其形成连接且沿第二电极方向延伸的第一型扩展电极；所述第二电极具有若干个与其形成连接且沿第一电极方向延伸的第二型扩展电极； 其中，所述第二型扩展电极的数量为奇数；且，所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧； 所述第一型扩展电极的数量为偶数，所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；且，所述第一型扩展电极与其余所述第二型扩展电极交替分配于所述中间扩展电极的两侧； 其中，在所述第二电极至所述第一电极的延伸方向，各所述第二型扩展电极与所述中间扩展电极的间距逐渐增大； 在所述第二电极至所述第一电极的延伸方向，所述第二型扩展电极的厚度逐渐减小，且最低厚度至少超过最高厚度的一半。

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