东京毅力科创株式会社佐藤亮获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210071341.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法是由佐藤亮;里吉务;笠原稔大设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。本发明的处理容器用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。
本发明授权处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种处理容器，其用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于： 在所述处理容器中的被暴露于等离子体的侧壁和底板的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜， 在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的设置在所述侧壁和所述底板的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜， 所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触， 所述处理容器和所述保护面材均由包含铝或铝合金的金属形成， 所述保护面材中的被暴露于所述等离子体的第二内侧面是所述金属露出的面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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