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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种集成式LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210656195.X，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种集成式LED芯片及其制作方法是由曲晓东;陈凯轩;罗桂兰;崔恒平;蔡海防;林志伟;赵斌;杨克伟;江土堆设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成式LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成式LED芯片及其制作方法，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层即电极引线与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。

本发明授权一种集成式LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式LED芯片，其特征在于，包括：导电基板、形成于所述导电基板表面的若干个LED发光单元、电极焊盘及电极引线； 其中，各所述LED发光单元包括外延叠层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第一金属层；所述外延叠层设置于所述导电基板上方，且所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述导电基板，并由所述导电基板指向所述外延叠层； 所述第二金属层包括可欧姆接触并实现光反射的金属材料层，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并延伸至所述导电基板的边缘，形成所述电极引线；所述电极焊盘形成于所述导电基板的边缘，并与所述电极引线形成连接； 所述第一绝缘层覆盖所述外延叠层，且裸露各所述通孔的底面、与其邻近的第二型半导体层的部分表面； 所述第二绝缘层，其设置所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧，且覆盖所述第二金属层及外延叠层并延伸至所述通孔侧壁； 所述第一金属层，其层叠于所述导电基板朝向所述外延叠层的一侧表面；并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成电接触，使各所述LED发光单元形成共电极； 其中，各所述LED发光单元通过沟槽相互隔离形成于所述导电基板表面； 所述通孔内设有填充结构； 所述填充结构包括在外延叠层中通过蚀刻形成的独立外延台柱，所述独立外延台柱通过凹槽与所述外延叠层相互隔离，且所述第一金属层嵌入所述凹槽与所述第一型半导体层形成电接触； 或，所述填充结构包括直接层叠于所述通孔底部的填充层；所述填充层通过凹槽与所述外延叠层相互隔离，且所述第一金属层嵌入所述凹槽与所述第一型半导体层形成电接触。

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