创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司陈佳良获国家专利权
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龙图腾网获悉创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110189916.6，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法是由陈佳良;杨啓铭;林彦兆设计研发完成，并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法在说明书摘要公布了：一种散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法，散热结构包括一散热金属盖和一仿真硅晶片。散热金属盖具有一盖体与一凹陷部。凹陷部形成于盖体的一面，用以容置一热源。仿真硅晶片位于凹陷部内，仿真硅晶片的一侧固接该散热金属盖，另侧用以热耦接该热源且与该热源电性隔离。半导体封装装置包括一基板、一工作晶片、一散热金属盖及一硅材导热元件。工作晶片固设于基板上，内建有一工作电路。硅材导热元件热耦接工作晶片与散热金属盖，且与工作电路及基板电性隔离。如此，以上架构能够提高位于工作晶片与散热金属盖之间的导热界面的热传导系数，使其有效提升封装散热性能，且降低其热阻。
本发明授权散热结构、半导体封装装置及半导体封装装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种散热结构，其特征在于，包括： 一散热金属盖，具有一盖体、一凹陷部与一保护层，该凹陷部形成于该盖体的一面用以容置一热源，该保护层覆盖该盖体的该面及该凹陷部；以及 一仿真硅晶片，位于该凹陷部内，该仿真硅晶片的一侧固接该散热金属盖，另侧用以热耦接该热源且与该热源电性隔离，该仿真硅晶片包含一硅材本体及多个导热通道，该硅材本体具有彼此相对的一第一面与一第二面，所述多个导热通道彼此并列于该硅材本体内，每一所述多个导热通道贯穿该硅材本体，且连接该硅材本体的该第一面与该第二面， 其中该保护层于该凹陷部内包覆该仿真硅晶片，且该保护层相对该盖体的一面曝露出该硅材本体的该第二面及该仿真硅晶片的所述多个导热通道。
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