京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司王思雨获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利阵列基板和显示设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114981975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080003626.1,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权阵列基板和显示设备是由王思雨;尚庭华;张毅;罗昶;杨慧娟;姜晓峰;宋永杰;张顺;杨路路设计研发完成,并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示设备在说明书摘要公布了:提供一种阵列基板。阵列基板包括:栅线;数据线;电压供应线;以及像素驱动电路。像素驱动电路包括多个晶体管和存储电容器。存储电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极以及在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间的绝缘层。第二电容器电极电连接到所述电压供应线。第二电容器电极包括作为各个子像素中的第一整体结构的一部分的第一部分和第二部分。电压供应线与所述第一部分交叉达第一交叉距离。数据线与所述第二部分交叉达第二交叉距离。第一交叉距离大于所述第二交叉距离。
本发明授权阵列基板和显示设备在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,包括: 栅线; 数据线; 电压供应线;以及 多个像素驱动电路,多个像素驱动电路排列成多个像素驱动电路行,且同一个像素驱动电路行中相邻像素驱动电路中的第二电容器电极通过连接部相互电连接; 其中,所述像素驱动电路包括多个晶体管和存储电容器; 所述存储电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极以及在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间的绝缘层; 所述第二电容器电极电连接到所述电压供应线; 所述第二电容器电极包括作为各个子像素中的第一整体结构的一部分的第一部分和第二部分; 所述电压供应线与所述第一部分交叉达第一交叉距离; 所述数据线与所述第二部分交叉达第二交叉距离;以及 所述第一交叉距离大于所述第二交叉距离; 在多个像素驱动电路行的排列方向上,所述第一部分的尺寸大于所述第二部分的尺寸,所述第二部分的尺寸大于所述连接部的尺寸; 所述阵列基板包括半导体材料层,所述半导体材料层与所述第一部分和所述第二部分中的至少一个有交叉部分,所述交叉部分达第三交叉距离;以及 所述第三交叉距离小于等于所述第一交叉距离并且大于等于所述第二交叉距离; 所述多个晶体管包括: 驱动晶体管; 第一晶体管; 第二晶体管; 第三晶体管; 第四晶体管;以及 第五晶体管; 其中,所述第二晶体管的漏极、所述第二晶体管的有源层、所述第四晶体管的漏极、所述第四晶体管的有源层、所述驱动晶体管的源极、所述驱动晶体管的有源层是各个子像素中的第二整体结构的一部分;以及 所述交叉部分的至少一部分将所述第二晶体管的漏极、所述第四晶体管的漏极和所述驱动晶体管的源极彼此直接连接; 所述交叉部分在基底基板上的正投影、所述电压供应线在基底基板上的正投影以及所述数据线在基底基板上的正投影彼此不重叠。
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