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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210508772.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种环栅晶体管及其制造方法是由李永亮;赵飞;陈安澜;程晓红;王文武设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种环栅晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在抑制环栅晶体管的寄生沟道漏电的情况下，提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管及其制造方法包括：衬底、堆叠结构、栅堆叠、隔离侧墙和漏电抑制结构。堆叠结构形成在衬底上。堆叠结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少一层纳米线或片。栅堆叠环绕在至少一层纳米线或片的外周。隔离侧墙至少形成在栅堆叠沿长度方向的两侧。漏电抑制结构形成在衬底上。漏电抑制结构位于至少一层纳米线或片的下方、以及隔离侧墙与至少一层纳米线或片对应的部分的下方。漏电抑制结构内掺杂有与环栅晶体管的导电类型相反的杂质。源区和漏区的底部均至少与漏电抑制结构的底部平齐。

本发明授权一种环栅晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管，其特征在于，包括：衬底， 堆叠结构，形成在所述衬底上；所述堆叠结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的至少一层纳米线或片，所述至少一层纳米线或片分别与所述源区和所述漏区接触，所述至少一层纳米线或片与所述衬底之间具有空隙； 栅堆叠，通过所述空隙环绕在所述至少一层纳米线或片的外周； 隔离侧墙，至少形成在所述栅堆叠沿长度方向的两侧； 以及漏电抑制结构，形成在所述衬底上；所述漏电抑制结构位于所述至少一层纳米线或片的下方、以及所述隔离侧墙与所述至少一层纳米线或片对应的部分的下方；所述漏电抑制结构内掺杂有与所述环栅晶体管的导电类型相反的杂质；所述源区和所述漏区的底部均至少与所述漏电抑制结构的底部平齐；所述漏电抑制结构的厚度为10nm至40nm；所述漏电抑制结构的材质为Si1-xGex，0≤x≤1； 沿着所述衬底的厚度方向，所述漏电抑制结构包括掺杂部、以及位于所述掺杂部上的本征部；所述掺杂部内掺杂有所述杂质，所述掺杂部中所述杂质的掺杂浓度为1E18cm-3至2E19cm-3；所述本征部的厚度为0至10nm。

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