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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种制备二维材料异质结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210633473.X，技术领域涉及：H10P95/00；该发明授权一种制备二维材料异质结的方法是由冯宝杰;吴克辉;孙振宇;黄元设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备二维材料异质结的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制备二维材料异质结的方法，其包括如下步骤：1将目标二维材料在真空装置中进行机械解理；2将底层材料在所述真空装置中进行预处理；3在所述真空装置中将目标二维材料转移至预处理的底层材料上；其中所述真空装置的真空度小于1×10‑7‑7Pa。本发明的方法可以形成各种普适性的二维材料异质结，这些异质结的界面不仅拥有很高的质量如没有气泡和杂质，还可以是高度不稳定的如易氧化的界面。实施本发明的技术方案可解决现有二维材料异质结制备技术导致的界面质量不够理想、种类较单一的问题。实施本发明的技术方案，可以实现各种高度洁净的、易氧化界面、复杂界面的二维材料异质结的制备。

本发明授权一种制备二维材料异质结的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备二维材料异质结的方法，其包括如下步骤： 1将目标二维材料在真空装置中进行机械解理； 2将底层材料在所述真空装置中进行预处理； 3在所述真空装置中将目标二维材料转移至预处理的底层材料上； 其中，所述真空装置的真空度小于等于5×10-8Pa； 所述底层材料为Si111基片、硅片或氧化物基片； 当所述底层材料为Si111基片或者氧化物基片时，所述预处理通过热处理进行； 当所述底层材料为硅片时，所述预处理通过表面薄膜生长进行； 所述真空装置包括真空腔体、第一驱动模块、可加热样品架、第二驱动模块、可压缩样品架、扩展性功能件； 所述第一驱动模块设置于所述真空腔体上并且通过驱动杆与所述可加热样品架相连；所述第二驱动模块设置于与所述第一驱动模块相对的位置处的真空腔体上并且通过驱动杆与所述可压缩样品架相连；其中所述第一驱动模块能够驱动可加热样品架上下移动和面内任意角度旋转，所述第二驱动模块能够驱动可压缩样品架上下移动和面内任意角度旋转以使得位于可加热样品架上的目标二维材料与位于可压缩样品架上的底层材料彼此贴附和分离； 所述扩展性功能件包括蒸发源炉、离子枪和射频等离子体源以实现对所述底层材料的预处理，并且，所述扩展性功能件通过电连接与所述真空腔体连接。

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