京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司王奎元获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利纹路识别模组和显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115066753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080003085.2,技术领域涉及:H10F39/18;该发明授权纹路识别模组和显示装置是由王奎元;李成;耿越;祁朝阳;代翼;李泽飞;李小贯;丰亚洁;王迎姿设计研发完成,并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本纹路识别模组和显示装置在说明书摘要公布了:一种纹路识别模组,包括:基底1,包括纹路识别区域101和位于纹路识别区域101周边的周边区域102;光电传感结构2,位于基底1之上且在纹路识别区域101内,包括:多条栅线11a、多条信号感测线15以及由多条栅线11a和多条信号感测线15限定出的多个像素单元;其中,像素单元包括:薄膜晶体管16,薄膜晶体管16的栅极11与对应的栅线11a电连接,薄膜晶体管16的第一电极13与对应的信号感测线15电连接;其中,纹路识别区域101包括:感光区A1,位于感光区A1内的像素单元还包括:光电传感器20,光电传感器20包括沿远离基底1方向依次层叠设置的第三电极17、感光图形18和第四电极19,第三电极17与位于同一像素单元的薄膜晶体管16的第二电极14连接;光电传感器20与所对应的像素单元的面积比为40%~90%。
本发明授权纹路识别模组和显示装置在权利要求书中公布了:1.一种纹路识别模组,包括: 基底,包括纹路识别区域和位于所述纹路识别区域周边的周边区域; 光电传感结构,位于所述基底之上且在所述纹路识别区域内,包括:多条栅线、多条信号感测线、以及由多条栅线和多条信号感测线交叉限定出的多个像素单元,其中,所述像素单元包括:薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与对应的栅线电连接,所述薄膜晶体管的第一电极与对应的信号感测线电连接; 其中,所述纹路识别区域包括:感光区,位于所述感光区内的像素单元还包括:光电传感器,所述光电传感器包括沿远离所述基底方向依次层叠设置的第三电极、感光图形和第四电极,所述第三电极与位于同一所述像素单元的所述薄膜晶体管的第二电极连接; 所述光电传感器与所对应的像素单元的面积比为40%~90%; 所述栅线沿第一方向延伸,所述信号感测线沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向垂直; 所述薄膜晶体管包括:栅极、有源层、第一电极和第二电极,所述第一电极在与所述基底所处平面相平行的截面的形状为矩形,所述第一电极具有在所述第一方向上相对设置的第一侧边和第二侧边以及在所述第二方向上相对设置的第三侧边和第四侧边,所述第一电极与位于自身的第一侧边最近的所述信号感测线电连接,所述栅极与位于所述第一电极的所述第三侧边最近的所述栅线电连接; 所述第二电极包括:第一导电部和第二导电部,所述第一导电部沿第一方向延伸且与所述第一电极的第二侧边相对设置,所述第二导电部沿第二方向延伸且与所述第一电极的第四侧边相对设置,所述第一导电部与所述第二导电部电连接; 所述第二电极还包括:第三导电部,所述第一导电部、所述第二导电部和所述第三导电部三者同层设置,第三导电部的延伸方向与所述第一方向和所述第二方向均相交,所述第三导电部的两端分别与所述第一导电部和所述第二导电部连接。
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