中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杨鹏飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110260938.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由杨鹏飞;刘云珍;何永根设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上形成有初始栅极结构，所述基底包括器件区和隔断区；对所述隔断区的所述初始栅极结构进行掺杂处理，所述初始栅极结构中掺杂有离子的部分作为牺牲层，其中，所述掺杂处理用于使所述牺牲层在各晶向的被刻蚀速率相同；去除所述隔断区的所述牺牲层，在所述初始栅极结构中形成隔断开口，所述隔断开口在所述初始栅极结构的延伸方向上将所述初始栅极结构进行分割，形成分别位于所述器件区中的栅极结构。提高了所述器件区中形成的所述栅极结构在其延伸方向的端部的平整度，降低了所述栅极结构在其延伸方向的端部发生形貌弯曲的概率，从而提高了所述半导体的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有初始栅极结构，所述基底包括器件区和隔断区； 对所述隔断区的所述初始栅极结构进行掺杂处理，所述初始栅极结构中掺杂有离子的部分作为牺牲层，其中，所述掺杂处理用于使所述牺牲层在各晶向的被刻蚀速率相同； 去除所述隔断区的所述牺牲层，在所述初始栅极结构中形成隔断开口，所述隔断开口在所述初始栅极结构的延伸方向上将所述初始栅极结构进行分割，形成分别位于所述器件区中的栅极结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励