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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利光电探测基板及其制备方法、光电探测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110272422.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光电探测基板及其制备方法、光电探测装置是由黄睿设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电探测基板及其制备方法、光电探测装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种光电探测基板及其制造方法、光电探测装置。光电探测基板包括玻璃基底以及设置在所述玻璃基底上的电子装置和光学装置，所述光学装置为肖特基光电二极管。所述肖特基光电二极管包括：第一电极，设置在所述第一电极远离玻璃基底一侧的欧姆接触层，设置在所述欧姆接触层远离玻璃基底一侧的本征层，以及设置在所述本征层远离玻璃基底一侧的第二电极。本公开通过采用没有P层的肖特基光电二极管，有效提高了光电二极管的性能，降低了生产成本。

本发明授权光电探测基板及其制备方法、光电探测装置在权利要求书中公布了：1.一种光电探测基板，其特征在于，包括玻璃基底以及设置在所述玻璃基底上的电子装置和光学装置， 所述光学装置为肖特基光电二极管，所述肖特基光电二极管包括第一电极、欧姆接触层、本征层和第二电极，其中，所述本征层为弱N型，所述欧姆接触层的材料包括N型掺杂非晶硅、N型掺杂微晶硅或N型掺杂硅锗合金； 所述电子装置包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别与所述有源层连接； 所述光电探测基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、平坦层、电极引线和第四绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述薄膜晶体管的所述栅电极，所述薄膜晶体管的所述有源层、所述源电极和所述漏电极设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖所述薄膜晶体管，所述第二绝缘层上设置有暴露出所述漏电极的第一开口，所述肖特基光电二极管的所述第一电极设置在所述第二绝缘层上，并通过所述第一开口与所述薄膜晶体管的所述漏电极连接，所述第三绝缘层覆盖所述肖特基光电二极管的所述第一电极、所述欧姆接触层、所述本征层和所述第二电极，所述平坦层覆盖所述第三绝缘层，所述第三绝缘层和所述平坦层上设置有第二开口，所述第二开口暴露出所述第二电极；所述电极引线设置在所述平坦层上，通过所述第二开口与所述第二电极连接；所述第四绝缘层覆盖所述电极引线； 所述肖特基光电二极管为无P层的肖特基光电二极管。

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