买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101527B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759381.6，技术领域涉及：H10B41/40；该发明授权存储器件的制造方法是由梁肖;贾雪梅;郭楠设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底包括存储区及逻辑区；在逻辑区形成第一侧墙及第一浮栅；形成图形化的光刻胶层，覆盖存储区；检测图形化的光刻胶层是否合格，并对不合格的图形化的光刻胶层执行重工工艺，在执行重工工艺时，采用第一湿法工艺去除图形化的光刻胶层，第一湿法工艺的工艺温度低于或等于150℃。本发明中，采用第一湿法工艺去除不合格的图形化的光刻胶层，且其工艺温度小于或等于150℃，通过在相对灰化工艺更低的温度下去除不合格的光刻胶层，以减少逻辑区的浮栅多晶硅层的氧化，从而间接增大逻辑区的第一浮栅的蚀刻窗口，以利于后续蚀刻去除逻辑区的第一浮栅，从而解决逻辑区的浮栅残留问题。

本发明授权存储器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括存储区及逻辑区，所述存储区及所述逻辑区上均设有浮栅多晶硅层及侧墙材料层，且所述逻辑区设有浅沟槽隔离结构； 在所述逻辑区形成第一侧墙及第一浮栅，及在所述存储区形成第二侧墙及第二浮栅，所述第一侧墙及所述第一浮栅位于所述逻辑区的浅沟槽隔离结构的侧壁，在蚀刻形成所述第二侧墙、所述第二浮栅、所述第一侧墙及所述第一浮栅时，形成有聚合物位于所述衬底、所述第一侧墙及所述第二侧墙的表面，并采用第二湿法工艺去除所述聚合物，所述第二湿法工艺的工艺温度低于或等于150℃； 形成图形化的光刻胶层，覆盖所述存储区； 检测所述图形化的光刻胶层是否合格，并对不合格的所述图形化的光刻胶层执行重工工艺，其中，所述重工工艺时包括采用第一湿法工艺去除不合格的所述图形化的光刻胶层，所述第一湿法工艺的工艺温度低于或等于150℃；以及， 依次去除所述第一浮栅、所述第一侧墙及所述图形化的光刻胶层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。