联华电子股份有限公司李国兴获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体存储单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110301918.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储单元及其形成方法是由李国兴;李坤宪;薛胜元;翁彰键;曾靖翔;吴宗训;白启宏;徐世杰设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储单元及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体存储单元及其形成方法，其中该半导体存储单元包含一基底，该基底中包含有一第一导电型态，一掺杂区，位于该基底中，其中该掺杂区具有一第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态互补，一电容绝缘层与一上电极，位于该掺杂区上，一晶体管，位于该基底上，以及一浅沟隔离，位于该晶体管与该电容绝缘层之间，且位于该掺杂区内。
本发明授权半导体存储单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储单元，其特征在于，包含: 基底，该基底中包含有第一导电型态； 掺杂区，位于该基底中，其中该掺杂区具有第二导电型态，且该第一导电型态与该第二导电型态互补，其中该掺杂区具有该第二导电型态的离子，且该离子的掺杂浓度由上而下逐渐递减； 电容绝缘层与上电极，位于该掺杂区上； 晶体管，位于该基底上，其中该晶体管的栅极不位于该掺杂区的正上方；以及 浅沟隔离，位于该晶体管与该电容绝缘层之间，且位于该掺杂区内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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