铠侠股份有限公司和田政春获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110985683.0，技术领域涉及：G11C11/4091；该发明授权半导体存储装置是由和田政春设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：一个实施方式的半导体存储装置，包括存储器元件、位线、读出放大器以及电位生成电路。存储器元件包括具有第1端以及第2端的电容器和第1晶体管。第1晶体管具有第3端以及第4端，第4端与第1端连接，包含氧化物半导体。位线与第3端连接。读出放大器与位线连接，连接于第1电位的第1节点以及比第1电位低的第2电位的第2节点之间。电位生成电路构成为将与第1电位和第2电位之差的中间的大小的第3电位不同的第4电位供给到第2端。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 存储器元件MC，包括电容器CC和第1晶体管CT，所述电容器CC具有第1端SN以及第2端PL，所述第1晶体管CT具有第3端即漏极以及第4端即源极，所述第4端与所述第1端连接，该第1晶体管CT包含氧化物半导体； 位线BL，与所述第3端连接； 读出放大器SAC，与所述位线连接，连接于第1电位Vddsa的第1节点SAP以及比所述第1电位低的第2电位Vss的第2节点SAN之间；以及 电位生成电路18，构成为将与所述第1电位和所述第2电位之差的中间的大小的第3电位即预充电电位Vddsa2不同的第4电位Vpl供给到所述第2端， 所述第4电位Vpl比所述第3电位Vddsa2低， 所述读出放大器SAC还构成为在针对所述存储器元件MC读出数据的期间使所述位线BL成为所述第3电位Vddsa2， 在所述读出数据的期间在所述第1晶体管CT为截止的期间所述位线从所述第3电位下降， 所述第4电位Vpl基于所述位线从所述第3电位起的所述下降的量。
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