南亚科技股份有限公司李维中获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利一次性可程序化存储器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210008518.4，技术领域涉及：H10W20/49；该发明授权一次性可程序化存储器阵列及其制备方法是由李维中;丘世仰设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一次性可程序化存储器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有一次性可程序化存储器阵列及该一次性可程序化存储器阵列的制备方法。该存储器阵列具有多个主动区；多对程序化字元线与读取字元线；以及多个虚拟字元线。该等主动区在一半导体基底中沿着一第一方向延伸，并沿着一第二方向分开地配置。该等程序化字元线、该等读取字元线以及该等虚拟字元线在该半导体基底上沿着该第二方向延伸。在其中一个主动区与一对该程序化字元线以及该读取字元线交叉中的一区域，界定出一单元胞在该存储器阵列中。该等虚拟字元线分别设置在相邻对的该等程序化字元线与该等读取字元线之间。在其中一个主动区与其中一个虚拟字元线交叉中的一区域，界定出一绝缘晶体管。
本发明授权一次性可程序化存储器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝一次性可程序化存储器阵列，包括： 多个单元胞，沿着多个行及多个列配置，且每一个单元胞包括一存取晶体管以及一反熔丝存储元件，该反熔丝存储元件电性耦接到该存取晶体管的一源极漏极端子；以及 多个绝缘晶体管，其每一个电性耦接到在相同列中的相邻单元胞，并经配置以维持在一关闭状态，以使相邻的该等单元胞相互电性绝缘， 其中在一第一单元胞中的该存取晶体管的一源极漏极端子与在一第二单元胞中的该存取晶体管的一源极漏极端子，当成是耦接在该第一与第二单元胞之间的其中一个绝缘晶体管的各源极漏极端子。
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