上海华力微电子有限公司徐敏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利金属栅极晶体管的测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211054326.3，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权金属栅极晶体管的测试结构是由徐敏;朱月芹;陈雷刚设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属栅极晶体管的测试结构在说明书摘要公布了：本发明提供金属栅极晶体管的测试结构，包括：半导体衬底；形成于衬底上的共用一个金属栅极的多个晶体管结构；焊盘组件，包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘，所有源极与第一焊盘电连接，所有漏极与第二焊盘电连接，金属栅极的一端与第三焊盘和第四焊盘电连接，金属栅极的另一端与第五焊盘和第六焊盘电连接；其中，第一焊盘、第二焊盘与第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘中的任意一个焊盘组成可靠性测试的测试端，第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘组成电迁移测试的测试端。该测试结构可将现有技术中相互分离的可靠性测试结构和电迁移测试结构整合于一个测试结构中，节省了测试结构的面积。
本发明授权金属栅极晶体管的测试结构在权利要求书中公布了：1.金属栅极晶体管的测试结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 形成于所述半导体衬底上的多个晶体管结构，每个晶体管结构包括金属栅极以及位于所述金属栅极两侧的源极和漏极，所述多个晶体管结构共用一个金属栅极； 焊盘组件，所述焊盘组件包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘，所述多个晶体管结构的所有源极与所述第一焊盘电连接，所述多个晶体管结构的所有漏极与所述第二焊盘电连接，所述金属栅极的一端与所述第三焊盘和所述第四焊盘电连接，所述金属栅极的另一端与所述第五焊盘和所述第六焊盘电连接； 其中，所述第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘以及第六焊盘中的任意一个焊盘与所述第一焊盘和所述第二焊盘组成可靠性测试的测试端，所述第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘组成电迁移测试的测试端。
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