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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利一种光检测基板及其制造方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211041038.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种光检测基板及其制造方法、显示装置是由丁小琪;贾立;王彦强;李泽亮;高涛设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光检测基板及其制造方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种光检测基板及其制造方法、显示装置，所述光检测基板包括衬底和光电转换单元；所述衬底包括相背的第一表面和第二表面，所述第一表面设有凹凸部，所述凹凸部在垂直于所述衬底的第一表面方向上具有预定凹凸深度；所述光电转换单元包括：至少部分随形覆盖在所述凹凸部的远离所述第二表面一侧的堆叠结构，所述堆叠结构至少包括从靠近所述衬底一侧向远离所述衬底一侧依次层叠的第一电极、感光层和第二电极；与所述第一电极电连接的第一信号线；及与所述第二电极电连接的第二信号线。本公开实施例提供的光检测基板可以在满足其光学检测效果的同时，减小光电转换单元的占用空间。

本发明授权一种光检测基板及其制造方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种光检测基板，包括衬底和光电转换单元；其特征在于，所述衬底包括相背的第一表面和第二表面，所述第一表面设有凹凸部，所述凹凸部在垂直于所述衬底的第一表面方向上具有预定凹凸深度，所述凹凸部包括凹槽或凹孔，所述衬底包括从所述第二表面指向所述第一表面的方向上依次层叠的n个膜层，从所述第二表面指向所述第一表面的方向上各膜层依次排序，至少在第n-1膜层上开设凹槽或凹孔，第n膜层随形覆盖在第n-1膜层上，以在所述凹槽或凹孔对应位置形成连续凹陷的所述凹凸部，且所述预定凹凸深度至少大于所述n个膜层中位于从所述第二表面指向所述第一表面的方向上、最靠近所述第一表面的至少两层膜层的厚度； 所述光电转换单元包括： 至少部分随形覆盖在所述凹凸部的远离所述第二表面一侧的堆叠结构，所述堆叠结构至少包括从靠近所述衬底一侧向远离所述衬底一侧依次层叠的第一电极、感光层和第二电极； 与所述第一电极电连接的第一信号线；及 与所述第二电极电连接的第二信号线;其中， 所述感光层至少部分沿垂直于所述衬底的方向呈纵向设置，所述堆叠结构在所述衬底的正投影面积小于所述堆叠结构中所述感光层的实际感光面积。

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