吉林华微电子股份有限公司郝雪东获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211012757.3，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备是由郝雪东;李大哲;任伟彬设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，所述方法包括：提供一外延基片；在外延基片的第一表面上形成基区和发射区，基区和发射区上覆盖有介质层；对介质层进行刻蚀，形成暴露出至少部分基区的掺杂开口；从第一表面一侧和第二表面一侧溅射第一金属，使第一金属掺杂至基区及外延基片的第二表面；在第一表面形成基极和发射极，在第二表面形成集电极。通过在形成基区和发射区后，形成暴露出基区的掺杂开口，然后从半导体器件的第一表面和第二表面均进行第一金属掺杂。如此，使第一金属的原子均匀的分布在PN结两侧，降低了第一金属掺杂引起的缺陷，以及第一金属掺杂对终端的影响。
本发明授权半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一外延基片，所述外延基片包括相对的第一表面和第二表面； 在所述外延基片的第一表面上形成基区和发射区，所述基区和发射区上覆盖有介质层； 对所述介质层进行刻蚀，形成暴露出至少部分所述基区的掺杂开口； 从所述第一表面一侧和所述第二表面一侧溅射第一金属，使所述第一金属掺杂至所述基区，并使所述第一金属掺杂至所述外延基片的第二表面形成集电区，所述基区和所述集电区形成的PN结两侧所述第一金属原子均匀分布； 在所述第一表面形成基极和发射极，在所述第二表面形成集电极。
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