松山湖材料实验室丁国建获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室申请的专利铌酸锂薄膜集成芯片、光电子器件和光纤陀螺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115356867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210941570.5,技术领域涉及:G02F1/035;该发明授权铌酸锂薄膜集成芯片、光电子器件和光纤陀螺是由丁国建;汪洋;王晓晖;冯琦;于萍;刘铮;贾海强;陈弘设计研发完成,并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本铌酸锂薄膜集成芯片、光电子器件和光纤陀螺在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种铌酸锂薄膜集成芯片、光电子器件和光纤陀螺,该集成芯片自下而上依次包括衬底、下包层、铌酸锂薄膜波导芯层、上包层,其中,铌酸锂薄膜波导芯层包括依次连接的入射单元、起偏单元、Y分支耦合单元、模式滤除单元、Y分支分束单元、相位调制单元和谐振单元。本发明实施例通过利用铌酸锂薄膜低损耗、小尺寸、高电光性能等优势,实现起偏、分束、合束、调制以及谐振等多种功能单片集成,解决了多种异质材料混合集成技术存在热匹配、光耦合损耗等问题,提高芯片集成的集成度和可靠性,简化工艺流程。
本发明授权铌酸锂薄膜集成芯片、光电子器件和光纤陀螺在权利要求书中公布了:1.一种铌酸锂薄膜集成芯片,其特征在于,自下而上依次包括衬底、下包层、铌酸锂薄膜波导芯层、上包层;其中,所述衬底和所述铌酸锂薄膜波导芯层均采用铌酸锂材料,以提高集成芯片的热匹配性; 所述铌酸锂薄膜波导芯层包括依次连接的入射单元、起偏单元、Y分支耦合单元、模式滤除单元、Y分支分束单元、相位调制单元和谐振单元; 所述入射单元用于与光源连接,将入射的光源输入至所述起偏单元,以对所述光源进行起偏处理,得到单偏振光;其中,所述起偏单元包括第一直通波导、宽脊波导、第一圆弧波导和第一正锥形波导,所述宽脊波导设置于所述第一直通波导的一侧,并与所述第一圆弧波导和所述第一正锥形波导依次连接;所述宽脊波导与所述第一直通波导对应的单模脊型波导结构,以组成非对称定向耦合器结构,以实现起偏功能; 所述Y分支耦合单元的一分支用于对所述单偏振光进行耦合输出; 所述Y分支分束单元用于将耦合输出的所述单偏振光等分成两路后,通过所述相位调制单元对两路所述单偏振光进行调制,得到两路调制信号光; 所述谐振单元用于控制两路所述调制信号光的相移,将两路所述调制信号光返回至所述Y分支分束单元,并通过所述相位调制单元进行再次调制; 所述Y分支分束单元还用于对再次调制后的两路所述调制信号光进行合束,生成干涉信号; 所述模式滤除单元用于对所述单偏振光和所述调制信号光进行降噪处理; 所述Y分支耦合单元的另一分支用于输出所述干涉信号。
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