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龙图腾网获悉西南大学申请的专利基于微波负阻电路补偿技术的电磁多功能高分辨率传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115372424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210925343.3，技术领域涉及：G01N27/22；该发明授权基于微波负阻电路补偿技术的电磁多功能高分辨率传感器是由黄杰;胡世恒设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于微波负阻电路补偿技术的电磁多功能高分辨率传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于微波负阻电路补偿技术的电磁多功能高分辨率传感器，涉及传感器技术领域。本发明传感器包含无源谐振腔体、嵌入在无源谐振腔体中的第一环形微流体芯片、第二环形微流控芯片与负阻补偿电路；无源谐振腔体由上层介质基板和下层介质基板纵向叠合组成。本发明通过上下两空心金属圆柱通过圆柱周围相邻两层介质基板之间环形底层金属相连，在谐振腔中心形成一个等效电感柱，作为短路同轴线内导体，内导体周围圆柱区域具有强磁场，作为磁导率传感区域，上下第二金属通孔等效的环形电容柱通过两极板之间环形金属层等效的环形平行板电容相连，形成短路同轴线的外导体，环形平行板电容之间存在强电场，作为介电传感区域。

本发明授权基于微波负阻电路补偿技术的电磁多功能高分辨率传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于微波负阻电路补偿技术的电磁多功能高分辨率传感器，其特征在于，所述传感器包含无源谐振腔体1、嵌入在无源谐振腔体1中的第一环形微流体芯片2、第二环形微流控芯片3与负阻补偿电路4；所述无源谐振腔体1由上层介质基板11和下层介质基板12纵向叠合组成； 所述上层介质基板11和下层介质基板12中心均开有环形台阶槽，所述上层介质基板11具有顶层金属层、中间介质层、底层金属层以及台阶槽底部的环形金属层四层结构； 所述下层介质基板12具有顶层金属层、中间介质层以及底层金属层共三层结构； 所述无源谐振腔体1的谐振腔是由一圈第一金属通孔111围成，所述第一金属通孔111刻蚀在上层介质基板11和下层介质基板12的相同位置； 所述上层介质基板11的中心位置开设有金属化通孔，所述下层介质基板12的中心位置开设有第四金属通孔，两金属化通孔纵向重合，通过上层介质基板11金属化通孔底端的环形底层金属和下层介质基板12金属化通孔顶端的环形顶层金属结合在一起； 所述上层介质基板11的底层金属层被刻蚀至中间介质层形成第一环形台阶槽113，所述第一环形台阶槽113的外径边缘接近第一金属通孔，内径边缘接近金属化通孔，所述第一环形台阶槽113的向上刻蚀至部分中间介质层形成有环形微流控芯片嵌入槽，嵌入所述第一环形微流体芯片2； 所述下层介质基板12的顶层金属层被刻蚀至中间介质层形成第二环形台阶槽122，所述第二环形台阶槽122内径边缘接近第四金属通孔，所述第二环形台阶槽122的向下刻蚀至部分中间介质层形成有环形微流控芯片嵌入槽，嵌入所述第二环形微流控芯片3； 所述上层介质基板11有沿腔体中心轴环形分布的两圈第二金属通孔112，所述下层介质基板12有沿腔体中心轴环形分布的两圈第三金属通孔121，所述第二金属通孔与第三金属通孔121纵向重合，形成上电容柱和下电容柱，按照两圈第二金属通孔与第三金属通孔121围成的同心圆环区域，上层介质基板11的环形台阶槽底部与下层介质基板12的上表面设有纵向重合的环形金属层1110。

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