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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利制备异晶面同质结薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210939400.3，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权制备异晶面同质结薄膜的方法是由荣东珂;金桥;林珊;陈盛如;金奎娟;郭尔佳设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备异晶面同质结薄膜的方法在说明书摘要公布了：一种制备异晶面同质结薄膜的方法，包括：1在初始衬底上形成牺牲层，获得牺牲层初始衬底结构；2在牺牲层上形成自支撑薄膜，获得自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构；3将自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构置于能够溶解牺牲层的溶液中直至牺牲层溶解，使得自支撑薄膜与初始衬底脱离接触，获得自支撑薄膜；4将自支撑薄膜以不完全覆盖目标衬底的方式转移至目标衬底上，以获得自支撑薄膜不完全覆盖目标衬底的自支撑薄膜目标衬底结构；5在自支撑薄膜目标衬底上形成目标薄膜，即获得异晶面同质结薄膜；其中，自支撑薄膜与目标衬底为同种材料且具有不同的晶面。本发明的方法灵活、简易且能够普适性地制得异晶面同质结薄膜。

本发明授权制备异晶面同质结薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备异晶面同质结薄膜的方法，其包括如下步骤： 1在初始衬底上形成牺牲层，以获得牺牲层初始衬底结构； 2在所述牺牲层初始衬底结构的牺牲层上形成自支撑薄膜，以获得自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构； 3将所述自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构置于能够溶解牺牲层的溶液中直至牺牲层溶解，使得自支撑薄膜与初始衬底脱离接触，获得自支撑薄膜； 4将所述自支撑薄膜以不完全覆盖目标衬底的方式转移至目标衬底上，以获得自支撑薄膜不完全覆盖目标衬底的自支撑薄膜目标衬底结构； 5在所述自支撑薄膜不完全覆盖目标衬底的自支撑薄膜目标衬底结构上形成目标薄膜，即获得异晶面同质结薄膜； 其中，所述自支撑薄膜与目标衬底为同种材料且具有不同的晶面; 所述方法还包括，在步骤3中，将所述自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构置于能够溶解牺牲层的溶液中之前，在所述自支撑薄膜上形成保护层以获得保护层自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构的步骤； 步骤3和步骤4则分别相应地通过包括如下步骤的方法进行： 3将所述保护层自支撑薄膜牺牲层初始衬底结构置于能够溶解牺牲层的溶液中直至牺牲层溶解，使得保护层自支撑薄膜与初始衬底脱离接触，获得保护层自支撑薄膜结构； 4将所述保护层自支撑薄膜结构以自支撑薄膜不完全覆盖目标衬底的方式转移至目标衬底上，以获得自支撑薄膜不完全覆盖目标衬底的保护层自支撑薄膜目标衬底结构；之后，将所述保护层自支撑薄膜目标衬底结构中的保护层去除，获得自支撑薄膜目标衬底结构。

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