中国矿业大学李忠武获国家专利权
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龙图腾网获悉中国矿业大学申请的专利一种基于电压门控纳米通道的同价离子筛选系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115672026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211253585.9,技术领域涉及:B01D57/02;该发明授权一种基于电压门控纳米通道的同价离子筛选系统及方法是由李忠武;王大刚设计研发完成,并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电压门控纳米通道的同价离子筛选系统及方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于电压门控纳米通道的同价离子筛选系统及方法,包括电源、AgAgCl电极、电解质溶液、纯水溶液以及包括硅基底、氮化硅层、金属电极层、纳米通道的纳米通道装置;氮化硅层与金属电极层周期性交替堆叠成薄膜,硅基底安装在薄膜底部,纳米通道贯穿硅基底及薄膜;电源包括驱动电压电源和两个门控电压源,驱动电压电源分别与两个AgAgCl电极相连,电极分别插入电解质溶液和纯水溶液中;两个门控电压源分别与金属电极层周期交替连接。该方法经过多级低电势区域捕获和释放,最终实现离子的筛选,选择性好、分离效率高、安全无毒,能够进行大规模的精准控制分离,解决了现有技术无法分离尺寸接近的同价电荷离子的问题。
本发明授权一种基于电压门控纳米通道的同价离子筛选系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种基于电压门控纳米通道的同价离子筛选系统,其特征在于,包括电源、AgAgCl电极、电解质溶液、纯水溶液以及纳米通道装置; 所述纳米通道装置包括硅基底、氮化硅层、金属电极层、纳米通道;所述氮化硅层与金属电极层周期性交替堆叠形成薄膜,硅基底安装在薄膜底部,所述纳米通道贯穿硅基底及薄膜; 所述电源包括驱动电压电源、门控电压源一和门控电压源二;所述电解质溶液内有待筛选的同价离子;所述驱动电压电源分别与两个AgAgCl电极相连,AgAgCl电极分别插入电解质溶液和纯水溶液中;所述门控电压源一和门控电压源二分别与金属电极层周期交替连接。
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