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龙图腾网获悉菲尼萨公司申请的专利光子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115712170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211423743.0，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权光子系统是由D·马格雷夫特;李珍亨;贝恩德·许布纳设计研发完成，并于2018-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本光子系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种光子系统，包括：PIC，包括第一SiN波导；以及第二SiN波导，其通过在朝向第一SiN波导的方向上增加厚度来竖直锥化，并且通过在离开第一SiN波导的方向上减小厚度来竖直锥化，其中：第一SiN波导包括具有第一有效折射率n1的锥形端；并且第二SiN波导和第三SiN波导一起形成两端处的有效折射率n2的第一和第二低折射率对比部分、第一和第二低折射率对比部分之间的第三高折射率对比部分，第三高折射率对比部分具有第三有效折射率n3和竖直锥形部，该竖直锥形部将第一低和第二低折射率对比部分绝热地耦合至第三高折射率对比部分，n3接近n1且n3n2，并且第一SiN波导的锥形端光耦合至第三高折射率对比部分。

本发明授权光子系统在权利要求书中公布了：1.一种光子系统，包括： 光子集成电路PIC，其包括第一SiN波导；以及 第二SiN波导，所述第二SiN波导通过在朝向所述第一SiN波导的方向上增加厚度来竖直锥化，以允许在所述第一SiN波导之间进行绝热光模式转移，并且通过在离开所述第一SiN波导的方向上减小厚度来竖直锥化，以允许在所述第二SiN波导与第三SiN波导之间进行绝热光模式转移，所述第二SiN波导位于所述第一SiN波导上方，所述第三SiN波导位于所述第二SiN波导上方， 其中： 所述第一SiN波导包括具有第一有效折射率n1的锥形端；并且 所述第二SiN波导和所述第三SiN波导一起形成两端处的有效折射率n2的第一低折射率对比部分和第二低折射率对比部分、所述第一低折射率对比部分与所述第二低折射率对比部分之间的第三高折射率对比部分，所述第三高折射率对比部分具有第三有效折射率n3和竖直锥形部，所述竖直锥形部将所述第一低折射率对比部分和所述第二低折射率对比部分绝热地耦合至所述第一低折射率对比部分与所述第二低折射率对比部分之间的所述第三高折射率对比部分， n3接近n1且n3n2，并且所述第一SiN波导的锥形端光耦合至所述第三高折射率对比部分。

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