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龙图腾网获悉上海森崚半导体科技有限公司申请的专利干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115722027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211420538.9，技术领域涉及：B01D53/04；该发明授权干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置是由张丽娇;尚家庄;修国华设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置，属于废气处理领域，方法包括将含三氟化氮的干刻尾气鼓风至水喷淋塔洗涤，以脱除在刻蚀过程中产生的金属氟化物颗粒，获得第一流股；将所述第一流股加压至第一压力后冷却，采用第一吸附塔去除高沸点组分，并从所述第一吸附塔的塔顶获得高压干燥的第二流股；将所述第二流股依次送入串联的冷凝温度分别为T1和T2的低温冷凝器，T1T2，使第二流股中的三氟化氮被部分冷凝液化，液化部分由底部流出为第三流股；将所述第三流股由泵增压后通过引入第二压力的中压精馏塔，进行精馏，底部得到纯净的三氟化氮。通过本申请的处理方案，降低污染，资源循环利用。

本发明授权干刻尾气回收三氟化氮的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种干刻尾气回收三氟化氮的方法，其特征在于，包括： 将含三氟化氮的干刻尾气鼓风至水喷淋塔洗涤，以脱除在刻蚀过程中产生的金属氟化物颗粒，获得第一流股；所述干刻尾气为从刻蚀系统流出的流股，所述干刻尾气含有NF3、He和SiFx粉尘； 将所述第一流股加压至第一压力后冷却，采用第一吸附塔去除高沸点组分，并从所述第一吸附塔的塔顶获得高压干燥的第二流股； 将所述第二流股依次送入串联的冷凝温度分别为T1和T2的低温冷凝器，T1T2，使第二流股中的三氟化氮被部分冷凝液化，液化部分由底部流出为第三流股； 所述第二流股进入串联的低温冷凝器后，顶部流出的不凝气为第四流股，将所述第四流股依次通入温度逐渐降低的第二吸附器和第三吸附器内，吸附脱除第四流股中除氦气以外的杂质气体，得到纯净的氦气； 将所述第三流股由泵增压后通过引入第二压力的中压精馏塔，进行精馏，底部得到纯净的三氟化氮； 将从所述中压精馏塔顶部得到的第七流股引入第三压力的低压精馏塔进行精馏； 从所述低压精馏塔的下部得到的第八流股为高纯的三氟化氮，与所述中压精馏塔底部得到的三氟化氮汇合； 从所述低压精馏塔的顶部排出的第九流股，加压与所述第二流股合并。

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