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龙图腾网获悉重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种基于MOSFET感温的低功耗时域温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115876343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211456114.8，技术领域涉及：G01K7/00；该发明授权一种基于MOSFET感温的低功耗时域温度传感器是由于奇;魏龙;柳勇;李靖;吴克军;宁宁设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MOSFET感温的低功耗时域温度传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于MOSFET感温的时域温度传感器，属于温度传感器领域。该温度传感器包括依次连接的感温单元和频率数字转换器。其中频率数字转换器包括压控振荡器和计数器。该温度传感器通过感温单元感知外界温度，并将物理信号转换为模拟信号，经由压控振荡器将模拟信号转换为频率信号输入所述计数器中，再由计数器读出表征温度信息的数字码值。本发明相比于传统的温度传感器具有功耗低、面积小、结构简单等优点。

本发明授权一种基于MOSFET感温的低功耗时域温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于MOSFET感温的低功耗时域温度传感器，其特征在于：包括依次连接的感温单元、压控振荡器和计数器；所述感温单元感知外界温度，并将物理信号转换为模拟信号，所述压控振荡器将模拟信号转换为频率信号输入所述计数器中，再由计数器读出表征温度信息的数字码值； 所述压控振荡器包括MOS管Mp1～Mp3、Mc1～Mc3和Mn1～Mn3，以及反相器INV1和INV2；MOS管Mp1的源极分别连接其衬底和电源，Mp1的漏极分别与MOS管Mc1的漏极以及MOS管Mp2和Mn2的栅极；MOS管Mc1的源极分别连接其衬底以及Mn1的漏极；MOS管Mn1的源极连接其衬底，同时接地；MOS管Mp2的源极分别连接其衬底以及电源，其漏极分别与MOS管Mc2的漏极以及Mp3和Mn3的栅极连接；MOS管Mc2的源极分别连接其衬底以及Mn2的漏极；MOS管Mn2的源极连接其衬底，同时接地；MOS管Mp3的源极分别连接其衬底以及电源，其漏极分别与MOS管Mc3的漏极、Mp1和Mn1的栅极以及反相器INV1的输入端连接；MOst管Mc3的源极分别与其衬底以及Mn3的漏极连接；MOS管Mn3的源极连接其衬底，同时接地；反相器INV1的输出端连接反相器INV2的输入端，INV2的输出端与计数器连接；MOS管Mc1～Mc3的栅极均接入感温单元的输出信号； 其中，MOS管Mp1和Mn1构成第一级反相器，MOS管Mp2和Mn2构成第二级反相器，MOS管Mp3和Mn3构成第三级反相器，第一至第三级反相器级联连接，且第一级反相器和第三级反相器的输入信号之间存在180°相位差。

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