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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司申请的专利低压差线性稳压器以及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116225127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310250523.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低压差线性稳压器以及芯片是由马媛;潘成;何帆;符艳军;付振设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压差线性稳压器以及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开一种低压差线性稳压器以及芯片。所述低压差线性稳压器包括：误差放大器、第一补偿电容、比较放大器、第二补偿电容、输出功率管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、负载电容以及负载电阻，其中误差放大器的高阻抗输出端与比较放大器的输入端相连；第一补偿电容的一极板与误差放大器的高阻抗输出端相连，以及第一补偿电容的另一极板与输出功率管的输出端相连；比较放大器的输出端与输出功率管的输入端相连；第二补偿电容的一极板与误差放大器的低阻抗输出端相连，以及第二补偿电容的另一极板与比较放大器的输出端相连，由此可有效地消除输出电压对于输出电容的依赖，并能够在全负载变化范围内做到快速响应和稳定输出。

本发明授权低压差线性稳压器以及芯片在权利要求书中公布了：1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括：误差放大器、第一补偿电容、比较放大器、第二补偿电容、输出功率管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、负载电容以及负载电阻， 其中，所述误差放大器的高阻抗输出端与所述比较放大器的输入端相连；所述第一补偿电容的一极板与所述误差放大器的高阻抗输出端相连，以及所述第一补偿电容的另一极板与所述输出功率管的输出端相连；所述比较放大器的输出端与所述输出功率管的输入端相连；所述第二补偿电容的一极板与所述误差放大器的低阻抗输出端相连，以及所述第二补偿电容的另一极板与所述比较放大器的输出端相连， 其中，所述比较放大器为电流比较器，所述电流比较器包括： 第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第七P型MOS管、第八P型MOS管、第九P型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管以及第八N型MOS管， 其中，所述第三P型MOS管的源极、所述第四P型MOS管的源极、所述第五P型MOS管的源极、所述第六P型MOS管的源极、所述第七P型MOS管的源极、所述第八P型MOS管的源极、以及所述第九P型MOS管的源极彼此相连，以及所述第三P型MOS管的栅极与漏极、所述第四P型MOS管的栅极、以及所述第三N型MOS管的漏极彼此相连；所述第四P型MOS管的漏极、所述第五P型MOS管的漏极与栅极、所述第六P型MOS管的栅极、所述第七P型MOS管的栅极、以及所述第四N型MOS管的漏极彼此相连；所述第六P型MOS管的漏极、所述第五N型MOS管的漏极、所述第七N型MOS管的漏极与栅极、以及所述第八N型MOS管的栅极彼此相连；以及所述第七P型MOS管的漏极、所述第八P型MOS管的漏极与栅极、所述第九P型MOS管的栅极、以及所述第六N型MOS管的漏极彼此相连， 其中，所述第三N型MOS管的源极、所述第四N型MOS管的源极、所述第五N型MOS管的源极、所述第六N型MOS管的源极、所述第七N型MOS管的源极、以及所述第八N型MOS管的源极彼此相连，以及所述第三N型MOS管的栅极、所述第五N型MOS管的栅极、以及所述第六N型MOS管的栅极彼此相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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