清华大学尹斓获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利再生型神经电极及其制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116369925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310388069.5，技术领域涉及：A61B5/263；该发明授权再生型神经电极及其制备方法和用途是由尹斓;孙鹏程;侯函青;杨灿设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本再生型神经电极及其制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明提供一种再生型神经电极及其制备方法和用途。所述再生型神经电极包括基层，定向结构层，所述定向结构层粘附在所述基层的表面，且所述定向结构层由纤维丝交织而成；以及金属薄膜电极，所述金属薄膜电极利用金属粘附层形成于所述定向结构层的与所述基层相背离的一面；优选地，所述再生型神经电极能够至少部分卷曲以形成卷曲结构。本发明的再生型神经电极具有优异的降解性能、且再生型神经电极的阻抗低，电极显示出良好的稳定性。本发明的再生型神经电极能够记录到的细胞信号，可以显著促进神经组织离散化，在组织结构上具备提高记录神经信号精度的基础。本发明的再生型神经电极具有更快的再生能力。
本发明授权再生型神经电极及其制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种再生型神经电极，其特征在于，所述再生型神经电极包括： 基层，所述基层源自于可降解的聚乳酸类共聚物； 定向结构层，所述定向结构层粘附在所述基层的表面，且所述定向结构层由纤维丝交织而成；以及 金属薄膜电极，所述金属薄膜电极利用金属粘附层形成于所述定向结构层的与所述基层相背离的一面； 所述金属薄膜电极的一部分向神经生长的方向延伸且与所述定向结构层的取向相平行；所述金属薄膜电极的另一部分向垂直于神经生长的方向延伸且与所述定向结构层的取向相垂直。
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