厦门乾照光电股份有限公司陈帅城获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116864591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311051332.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由陈帅城;杨德佑;张佳宏;叶玲娜;黄俊杰设计研发完成，并于2023-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极金属反射、钝化层介质层、第二接触孔、电流阻挡层介质层以及透明导电层导电层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极P型电极注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。
本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，包括衬底及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED发光单元，其特征在于，所述LED发光单元包括： 设置于所述衬底表面的外延叠层；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；且所述外延叠层的局部区域蚀刻至至少部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层； 透明导电层，其层叠于所述台面且具有裸露部分所述第二型半导体层的通孔； 电流阻挡层，其通过所述通孔延伸至所述透明导电层的表面； 钝化层，其形成于所述透明导电层背离所述外延叠层的一侧表面，且所述钝化层与所述电流阻挡层通过第二接触孔间隔设置；其中，所述钝化层具有裸露所述凹槽部分表面的第一接触孔，所述第二接触孔裸露所述电流阻挡层外围的部分透明导电层； 第一电极，其设置于所述第一接触孔与所述第一型半导体层连接； 第二电极，其通过设置于所述第二接触孔的方式覆盖所述电流阻挡层，并延伸至所述钝化层的表面使其沿所述第一方向与所述透明导电层和钝化层具有复合区域。
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