北京厚朴思技术有限公司唐皇哉获国家专利权
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龙图腾网获悉北京厚朴思技术有限公司申请的专利一种冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116892054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310750757.1，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法是由唐皇哉;承刚;胡树金设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：⑴在冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长装置内放置β‑Ga22O33籽晶，堆积Ga22O33原料形成原料堆；⑵启动感应线圈的加热电源；⑶化料；⑷引晶；⑸放肩；⑹等径生长。本发明在富氧环境工作，不使用铱坩埚。
本发明授权一种冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法，包括以下步骤： ⑴在冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长装置内放置β-Ga2O3籽晶，堆积Ga2O3原料形成原料堆； ⑵启动感应线圈的加热电源； ⑶化料； ⑷引晶； ⑸放肩； ⑹等径生长； 所述冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长装置包括水冷坩埚的埚壁1、高频感应线圈2、水冷坩埚的底座3和耐火底座4，水冷坩埚的埚壁1由若干水冷管围绕水冷坩埚的底座3轴线等距排列围成，高频感应线圈2设置在水冷坩埚的埚壁1的周围，将水冷坩埚的埚壁1包围在内，水冷坩埚的底座3放置在耐火底座4上，冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长装置还包括氧化镓籽晶夹头5，氧化镓籽晶夹头5的下端位于高频感应线圈2形成的热场中心； 所述冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长装置还包括若干环形凹反射屏9，所述若干环形凹反射屏9与一反射屏传动轴12连接； 放肩中，若干环形凹反射屏9聚焦的位置为晶体生长最大直径位置； 所述冷坩埚提拉法制备大尺寸氧化镓晶体的生长方法采用负反馈功率控制。
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