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龙图腾网获悉西安交通大学;陕西航空电气有限责任公司申请的专利一种SiC半导体点火材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117756533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311827005.7，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种SiC半导体点火材料及其制备方法是由王波;余杨;王鹏;郝旭;周小楠;王亚楠;陈钢锋;王晖;杨建锋设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC半导体点火材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及航空发动机点火材料制备技术领域，尤其涉及一种SiC半导体点火材料及其制备方法，按质量分数计包括以下原料组分：60％～80％SiC半导体复合粉末、0.05％～0.35％异丁烯马来酸酐共聚物、0.5％～2.5％分散剂、0.1％～0.5％消泡剂、15.65％～39.25％水和0.1％～1％pH值调节剂；所述SiC半导体复合粉末包括：4％～8％的Re22Si22O77粉末、3％～6％的SiO22粉末、1％～5％的Y22O33粉末、1％～3％的SrO粉末、40％～70％SiC粉末、15％～35％的Al22O33粉末和5％～20％的ZrO22粉末，所述Re为稀土元素。该点火材料采用稀土硅酸盐化合物作为耐腐蚀相与其他粉末配合使用，使SiC半导体点火材料耐受温度高达1300℃以上，具有优异的高温稳定性、耐高温性能和抗热震性能。解决SiC半导体点火材料耐温性能差，无法满足航空发动机点火系统需求的问题。

本发明授权一种SiC半导体点火材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC半导体点火材料，其特征在于，按质量分数计包括以下原料组分：60%～80%的SiC半导体复合粉末、0.05%～0.35%的异丁烯马来酸酐共聚物、0.5%～2.5%的分散剂、0.1%～0.5%的消泡剂、15.65%～39.25%的水和0.1%～1%的pH值调节剂；其中所述分散剂为聚丙烯酸铵溶液，所述聚丙烯酸铵溶液的浓度为30wt%～50wt%；所述消泡剂为正辛醇；所述pH值调节剂为四甲基氢氧化铵溶液，所述四甲基氢氧化铵溶液的浓度为8wt%～12wt%； 所述SiC半导体复合粉末按质量分数计包括：4%～8%的Re2Si2O7粉末、3%～6%的SiO2粉末、1%～5%的Y2O3粉末、1%～3%的SrO粉末、40%～70%SiC粉末、15%～35%的Al2O3粉末和5%～20%的ZrO2粉末，所述Re为稀土元素。

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