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龙图腾网获悉深圳市阿赛姆电子有限公司申请的专利一种超低电容静电抑制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120954841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511494256.7，技术领域涉及：H01C7/10；该发明授权一种超低电容静电抑制器是由陈伦森;黄文春;朱魏巍设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低电容静电抑制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超低电容静电抑制器，涉及电阻器技术领域，包括绝缘基底；端电极，对称设置于基底的两侧；内部电极，嵌设于绝缘基底内部；导电聚合物层，设置于内部电极上端且与内部电极电连接；内部电极的上表面一体成型有若干组能量分流筋；导电聚合物层为梯度复合结构，导电聚合物层包括设置在内部电极上端且与能量分流筋直接接触的高导底层、位于高导底层上端的中间过渡层以及设置在中间过渡蹭上端的表面耗散层；高导底层的厚度大于能量分流筋的高度，使得能量分流筋的顶部嵌入高导底层内；本发明通过设置能量分流筋和梯度复合导电聚合物层构成了多级能量耗散结构，有效解决了瞬态电流在电极表面高度集中的问题。

本发明授权一种超低电容静电抑制器在权利要求书中公布了：1.一种超低电容静电抑制器，其特征在于，包括： 绝缘基底1； 端电极2，对称设置于所述基底的两侧； 内部电极3，嵌设于所述绝缘基底1内部； 导电聚合物层4，设置于所述内部电极3上端且与所述内部电极3电连接； 所述内部电极3的上表面一体成型有若干组能量分流筋5； 所述导电聚合物层4为梯度复合结构，所述导电聚合物层4包括设置在所述内部电极3上端且与所述能量分流筋5直接接触的高导底层41、位于所述高导底层41上端的中间过渡层42以及设置在所述中间过渡层42上端的表面耗散层43； 所述高导底层41的厚度大于所述能量分流筋5的高度，使得所述能量分流筋5的顶部嵌入所述高导底层41内； 所述能量分流筋5为从所述内部电极3中心向边缘辐射分布的波状拱形凸起结构； 所述能量分流筋5采用边缘加密型辐射状分布，从内部电极3中心区域到内部电极3边缘区域，所述能量分流筋5的分布密度逐渐增加； 所述能量分流筋5的尺寸从内部电极3中心区域到内部电极3边缘区域呈渐变分布； 所述内部电极3、端电极2以及所述能量分流筋5的表面设置有抗电蚀涂层6； 所述能量分流筋5的材质为铜箔或铝箔。

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