厦门宏芯创电子有限公司陈宗熙获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门宏芯创电子有限公司申请的专利一种存储芯片模组及串行接口硬盘获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223842634U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520426970.1,技术领域涉及:G11C5/06;该实用新型一种存储芯片模组及串行接口硬盘是由陈宗熙;郑颖槟;褚莹琪;刘金涛设计研发完成,并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储芯片模组及串行接口硬盘在说明书摘要公布了:本申请提出了一种存储芯片模组及串行接口硬盘。该存储芯片模组包括:承载基体;连接器,与承载基体耦接,且连接器采用串行接口协议;控制器,设置于承载基体上;至少一存储芯片,设置于承载基体上,单个存储芯片包括至少一裸晶,单个裸晶包括多个存储层,多个存储层相互垂直排列且每层存储层设有若干存储单元;一条数据总线,设于承载基体内,控制器与各个存储芯片之间通过该数据总线耦接,以访问对应存储层的存储单元。于此,控制器与各个存储芯片之间通过单通道实现并行访问,可以降低干扰以及由此导致的误码率及纠错负担,同时有利于简化电路布线和控制调度策略,提高数据访问的可靠性。
本实用新型一种存储芯片模组及串行接口硬盘在权利要求书中公布了:1.一种存储芯片模组,其特征在于,包括: 承载基体; 连接器,所述连接器与所述承载基体耦接,且所述连接器采用串行接口协议; 控制器,设置于所述承载基体上; 至少一存储芯片,设置于所述承载基体上,单个所述存储芯片包括至少一裸晶,单个所述裸晶包括多个存储层,多个所述存储层相互垂直排列且每层存储层设有若干存储单元; 一条数据总线,所述数据总线设于所述承载基体内,且所述控制器与各个所述存储芯片之间通过所述数据总线耦接,以访问对应存储层的所述存储单元。
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