万诚科技股份有限公司;蔡昀展蔡昀展获国家专利权
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龙图腾网获悉万诚科技股份有限公司;蔡昀展申请的专利单极双频天线获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223843178U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520214927.9,技术领域涉及:H01Q1/38;该实用新型单极双频天线是由蔡昀展;邱士于;杨士弘;许清云;郭建谷设计研发完成,并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本单极双频天线在说明书摘要公布了:一种单极双频天线,包括:天线结构与主板。天线结构包括:电路板、高频辐射层、低频辐射层、导电金属层及半孔电极层。电路板上具有一正面、一背面、一顶面、一底面及二侧面。高频辐射层设于正面上。低频辐射层设于背面上。导电金属层设于顶面上,导电金属层一端与高频辐射层电性连结,另一端与低频辐射层电性连结。半孔电极层设于底面上,并贯穿底面而与正面的高频辐射层电性连结。主板至少包含:焊盘及信号馈入层。以半孔电极层与焊盘及该信号馈入层电性固接,在信号馈入后,同时产生二个电流路径,分别流经高频辐射层及低频辐射层。
本实用新型单极双频天线在权利要求书中公布了:1.一种单极双频天线,其特征在于,包括:一天线结构与一主板; 所述天线结构,包括: 一电路板,呈一方形体,其上具有一正面、一背面、一顶面、一底面及二侧面; 一高频辐射层,设于所述电路板的所述正面上; 一低频辐射层,设于所述电路板的所述背面上; 一导电金属层,设于所述电路板的所述顶面上,所述导电金属层一端与所述高频辐射层电性连结,另一端与所述低频辐射层电性连结;及 至少一个半孔电极层,分别设于所述电路板的所述底面上,并贯穿所述底面而与所述正面的所述高频辐射层电性连结; 所述主板,其上至少包含有:一焊盘及一信号馈入层; 其中,以所述半孔电极层与所述焊盘及所述信号馈入层电性固接,在信号馈入后,同时产生二个电流路径,分别流经所述高频辐射层及所述低频辐射层。
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