三仡纳米位移技术(上海)有限公司隋旭日获国家专利权
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龙图腾网获悉三仡纳米位移技术(上海)有限公司申请的专利一种电源电压保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223843524U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520348888.1，技术领域涉及：H02H3/087；该实用新型一种电源电压保护电路是由隋旭日;张英丽;吴红玉设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电源电压保护电路在说明书摘要公布了：本申请涉及电源电压保护领域，尤其涉及一种电源电压保护电路。包括电流截断电路和过流抑制电路，电流截断电路包括控制端、截断三极管和PMOS管，用于切断电流通路。过流抑制电路包括稳压三极管，用于对PMOS管进行过流抑制。通过控制端的控制信号控制PMOS管的通断实现在电路故障时及时地切断电路，不需要继电器，弥补了继电器在响应时间、安装空间、功率损耗上的缺陷。通过设置稳压二极管、稳压三极管、限流电阻和保护电阻，对流经PMOS管的过流起到抑制作用，延长了电路的使用寿命，增强了电路的使用安全，避免了瞬态尖峰电压对电路造成损坏。
本实用新型一种电源电压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种电源电压保护电路，包括电流截断电路和过流抑制电路，所述电流截断电路包括控制端、截断三极管和PMOS管，所述控制端与所述截断三极管的发射极连接，所述截断三极管的集电极与所述PMOS管的栅极连接，所述截断三极管的基极通过第一接地电阻接地，所述PMOS管的漏极与电压输出端连接，所述PMOS管的源极与电压输入端连接； 所述过流抑制电路包括稳压三极管，所述PMOS管的栅极与所述稳压三极管的集电极连接，所述稳压三极管的发射极与所述电压输入端连接，所述稳压三极管的基极与基极偏置电阻的第一端连接，所述基极偏置电阻的第二端与所述电压输入端连接。
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