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龙图腾网获悉成都高斯智慧电子科技有限公司申请的专利一种基于过压保护和防直流反接的供电电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223843525U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520150082.1，技术领域涉及：H02H3/20；该实用新型一种基于过压保护和防直流反接的供电电路是由赵胜;郎均;赵茂琳;王晓曦设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于过压保护和防直流反接的供电电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于过压保护和防直流反接的供电电路，包括第一MOS管Q1、三极管Q2、第二MOS管Q3、供电电源、第一电阻R1~第七电阻R7、供电负载R8和器件U1；由第一MOS管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管D1组成反接保护电路，第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、器件U1、第六电阻R6、三极管Q2、第七电阻R7、第二二极管D2、第二MOS管Q3组成过压保护电路。本实用新型能够在过压和直流反接的情况下，有效实现对用电负载的保护。

本实用新型一种基于过压保护和防直流反接的供电电路在权利要求书中公布了：1.一种基于过压保护和防直流反接的供电电路，其特征在于：包括第一MOS管Q1、三极管Q2、第二MOS管Q3、供电电源、第一电阻R1~第七电阻R7、供电负载R8和器件U1； 所述第二MOS管Q3的源极与供电电源的正极连接，第二MOS管Q3的漏极与供电负载R8的第一端连接； 所述第一MOS管Q1的漏极与供电电源的负极连接，第一MOS管Q1的源极与供电负载R8的第二端连接；所述第一电阻R1的第一端连接到供电电源的正极，第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻的第二端连接到第一MOS管Q1的源极；所述第一MOS管M1的栅极连接到第二电阻R2的第一端； 第三电阻R3的第一端连接到供电电源的正极，第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4连接到第一MOS管Q1的源极；第五电阻R5的第一端连接到供电电源的正极，第五电阻的第二端通过器件U1连接到第一MOS管Q1的源极，所述器件U1的参考端连接到第三电阻R3和第四电阻R4之间； 所述三极管Q2的发射极连接到供电电源的正极，三极管Q2的集电极通过第七电阻R7连接到第一MOS管Q1的源极，三极管Q2的基极通过第六电阻R6连接到第五电阻R5的第二端；所述三极管Q2的集电极还与第二MOS管Q3的栅极连接。

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