信利(仁寿)高端显示科技有限公司王建获国家专利权
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龙图腾网获悉信利(仁寿)高端显示科技有限公司申请的专利一种新型阵列基板及低温多晶硅显示装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844151U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520118227.X，技术领域涉及：H10D86/60；该实用新型一种新型阵列基板及低温多晶硅显示装置是由王建;宋国庆;孙海涛;刘福知设计研发完成，并于2025-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型阵列基板及低温多晶硅显示装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型阵列基板及低温多晶硅显示装置，新型阵列基板包括源漏极金属层、有机绝缘层、透明导电层、电容绝缘层、多个挖孔；有机绝缘层成膜在源漏极金属层上；多个挖孔成排制作在有机绝缘层上，且靠近源漏极金属层的边缘；透明导电层成膜在有机绝缘层上，电容绝缘层制作在透明导电层上。通过在对有机绝缘层进行挖孔时，设置两排挖孔，使该两排挖孔靠近源漏极金属层的边缘成型并且使其距离小于规定值，有利于有机绝缘层中水汽的逸出，从而避免高温后，水汽再从有机绝缘膜逸出，把有机绝缘膜之后制作的膜层顶起鼓包或破裂。
本实用新型一种新型阵列基板及低温多晶硅显示装置在权利要求书中公布了：1.一种新型阵列基板，用于制作低温多晶硅显示装置，其特征在于，包括： 源漏极金属层； 有机绝缘层； 透明导电层； 电容绝缘层； 多个挖孔； 所述有机绝缘层成膜在所述源漏极金属层上； 所述多个挖孔成排制作在所述有机绝缘层上，且靠近源漏极金属层的边缘； 所述透明导电层成膜在所述有机绝缘层上，所述电容绝缘层制作在所述透明导电层上。
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